単一点ケルビンプローブ Single-Point Kelvin Probe

特徴

接触電位差（CPD）を非接触で測定し、材料の仕事関数

半導体のフェルミ準位、n型・p型、エネルギーギャップ

表面光起電力（SPV）測定に対応し、少数キャリア拡散長や再結合特性

表面吸着・化学吸着、表面準位、帯電・放電などの表面状態

温度・湿度による仕事関数の変化

φ2.5 mm金メッシュプローブによる高S/N比の非接触測定。粗面・研磨面の両方に対応

光ファイバーを介した測定中の試料照明に対応

アプリケーション

導電材料・半導体材料の仕事関数測定

有機半導体・無機半導体

太陽電池・光電変換材料

光触媒・触媒材料の表面評価

腐食・光腐食プロセス

吸着・脱離現象

表面帯電・放電現象

薄膜・多層膜・埋もれた界面

Single-Point Kelvin Probeは、導電材料および半導体材料の接触電位差（CPD）を高精度かつ非接触で測定し、仕事関数を求めるケルビンプローブシステムです。直径2.5 mmの金メッシュ製振動参照電極を使用し、金製プローブチップを基準として測定したCPDから、試料の仕事関数を間接的に評価します。

腐食・光腐食、吸着・脱離、表面帯電、触媒活性などの材料表面研究に使用でき、設定した時間間隔でCPDを連続測定することで、変化をリアルタイムに監視できます。有機・無機半導体、太陽電池、光活性材料などの測定に対応します。装置全体をファラデーケージで覆い、周囲光および電磁場の影響を遮蔽します。

システムは、コントローラーユニット、プローブチップを備えたケルビンプローブ本体、ファラデーケージで構成されます。レーザーバリアが試料基板を自動検出し、試料表面とプローブチップ間の距離を20 µmの精度で測定します。標準仕様のほか、温度、湿度、ほこり、化学汚染物質などの環境要因を抑えるため、不活性ガスフローシステム付き気密型ファラデーケージも選択できます。

プローブチップ上部の光ファイバーから測定中の試料へ光を照射できます。プローブチップは光を部分的に透過し、LED Revolver、モノクロメーターと組み合わせたキセノンランプ、その他の光源を使用できます。